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표고재배

톱밥재배

톱밥배지를 배양하는 장소는 공기의 유통이 잘되고 여름에는 35℃ 이상의 고온을 방지할 수 있고 겨울에는 배지가 얼지 않도록 할 수 있는 최소한의 시설이 갖추어져 있어야 한다. 또 단위면적당 생산량을 극대화시키기 위해 선반을 설치하여 많은 양의 배지 봉지를 수용할 수 있도록 한다. 톱밥배지의 배양은 추후 버섯생산량에 영향을 미치는 배지의 기초를 만드는 중요한 과정이므로 적정하게 온도, 습도, 환기를 관리하여 활력이 좋은 배지를 만들도록 한다.

배양전기(前期) - 균사배양기

접종한 후 흰색의 표고균사가 1차적으로 만연되는 기간이다. 배지전체에 표고균사 만연되는 기간은 배지 무게에 따라 차이는 있지만, 대개 40~60일 정도이다.

온도
표고균은 5∼28℃ 범위에서 생장이 가능하지만 최적온도는 22∼25℃이다.
봉지내부의 온도는 균사의 톱밥 분해열 때문에 배양실 온도보다 2∼3℃ 높아지게 되므로 배양 전기에는 온도를 18∼20℃ 내외로 유지하여 배양하고 배양후기가 되면 22∼24℃로 관리한다.
표고균을 35℃에서 3일이상 배양한 후에 생육에 적합한 24℃에 옮겨 생육시키면 균사의 발육 상태는 극히 불량하게 나타나며, 40℃이상 에서는 수시간 내에 균사가 죽어 버리므로 항상 배양 최적 온도가 유지되도록 한다.
배양중에 잡균이 발생한 것은 수시로 제거하여 다른 배지에 영향을 미치지 않도록 한다.
겨울철 난방 배양시에는 배지에 열이 직접 닿아서 고온장해를 받거나 배지표면이 건조되기 쉬으므로 주의한다.
습도
배양실의 습도는 60∼80%를 유지시키는 것이 이상적이며 심한 건조와 과습은 피한다.
가습하여야 할 때는 연무형 가습기를 사용하는 것이 좋으며 자동습도 조절장치가 설치되어 있으면 별도로 가습할 필요는 없다.
환기
표고균이 생장하면서 호흡열 이외에 상당한 탄산가스가 배양봉지 속에 생기게 된다.
표고는 탄산가스의 농도가 3,000ppm 이하가 되어야 버섯의 원기형성과 자실체가 충분하게 발육되므로 탄산가스를 배출시키기 위하여 배양장소에 환기시설을 하거나 수시로 환기를 필요로 한다.
배양전기에는 빛이 필요치 않지만 작업에 불편하지 않을 정도의 빛이 있으면 좋다.
배지뒤집기
종균을 접종하여 30∼40일 사이에 1회 정도는 배지의 위치를 바꾸어준다.
선반 하단과 상단 그리고 통로 쪽에서 선반 안쪽의 배지를 겉으로 위치를 옮겨 탄산가스의 농도를 균일하게 조정한다.
배지와 봉지사이는 1∼2㎝ 틈이 벌어지게 하여 배지내부의 균사가 균일하게 생장하도록 한다.

배양후기(後期) - 갈변숙성기

표고균사가 자라서 배지에 만연하게 되면 배지의 표면이 갈색∼흑갈색의 피막으로 덮히기 시작한다. 배양전기가 완료되는 시기부터 톱밥배지를 약 50∼150㏓이 빛이 있는 곳에서 명배양을 30∼40일간 계속하면 배지전체에 갈색피막이 형성된다. 피막이 형성되면 이제까지 내열비닐봉지로 보호되던 배지가 외부공기와 접촉되어도 다른 균에 잘 오염되지 않을 뿐만 아니라 배지내의 수분증발을 억제하게 된다.

원기형성

후기배양이 완료될 즈음에 표고균사가 충분히 성숙한 부분에서부터 자실체의 원기(原基)가 형성되기 시작한다. 이때의 배양환경조건은 다음과 같다.

온도
원기형성 온도는 종균의 품종에 따라 다소 차이는 있으나 15∼25℃범위이고 최적온도는 20~22℃이다.
형성된 원기가 온도자극으로 인해 봉지내에서 버섯으로 발생되지 않도록 주의한다.
자실체의 원기형성에는 빛이 절대로 필요하다. 이때의 필요한 광량은 250∼350㏓ 정도면 충분하다.
환기
탄산가스 농도가 3,000ppm 이하의 양호한 상태를 유지하도록 한다.
배양후기 관리시에 배양봉지의 마개를 잠깐 열어서 통기를 시켜주면 피막형성을 촉진시키기도 한다.

침수처리

숙성이 끝난 톱밥배지의 버섯발생장소로 옮겨 발생에 들어간다. 이 시기에는 특별히 침수처리를 하지 않아도 되지만 필요하다고 생각될 경우에는 5∼13℃ 정도의 찬물에서 실시한다. 침수시간은 24시간 정도면 충분하나 품종 및 배지의 상태에 따라 침수여부와 침수시간을 결정하여 첫버섯이 대량으로 발생되지 않도록 주의한다. 침수시, 톱밥배지는 물에 뜨므로 무거운 것으로 눌러 놓는다.